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近期，許多平臺賣家對SSD固態(tài)硬盤和Memory內(nèi)存品類產(chǎn)生了濃厚的興趣。為此，我們特邀請新蛋產(chǎn)品經(jīng)理為賣家們帶來這兩種品類的詳細(xì)介紹，希望對賣家們有所幫助！

SSD固態(tài)硬盤概覽

固態(tài)硬盤，簡稱SSD，是以閃存為儲存介質(zhì)的半導(dǎo)體儲存器，相對于機械硬盤（HDD）具有讀寫速度快、延遲低、抗震性好的優(yōu)勢。近年來，SSD在全球硬盤市場上的出貨量占比持續(xù)提高，已在2020年超越了HDD的出貨量。

SSD的核心技術(shù)包括閃存、主控芯片和固件。隨著技術(shù)的發(fā)展，閃存單元存儲數(shù)據(jù)量不斷提高，閃存架構(gòu)也在從2D發(fā)展到3D，接頭和主機通信技術(shù)也在不斷更新迭代，這對固態(tài)硬盤廠商的固件水平及設(shè)計能力提出了更高的要求。

我國企業(yè)級固態(tài)硬盤市場規(guī)模正在持續(xù)增長，預(yù)計到2025年將達(dá)到489億元。隨著數(shù)據(jù)量的增長和數(shù)字經(jīng)濟(jì)的繁榮，對存儲設(shè)備的需求高度剛性，推動著存儲設(shè)備技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步。

新蛋平臺目前銷售的主流硬盤在容量、尺寸規(guī)格等方面滿足不同需求。行業(yè)發(fā)展歷程也展示了全球存儲行業(yè)的布局和進(jìn)步。

Memory內(nèi)存簡述

隨機存取存儲器（RAM）是內(nèi)部存儲器，與CPU直接交換數(shù)據(jù)。RAM可以快速讀寫，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時資料存儲介質(zhì)。

以elixir為例，內(nèi)存DRAM顆粒是計算機中的重要組成部分。RAM為計算機中的數(shù)據(jù)提供快速存取和臨時存儲。計算機啟動時，處理器會從永久數(shù)據(jù)存儲（如HDD/SSD）請求數(shù)據(jù)并加載到RAM。由于RAM的讀寫速度比最快的固態(tài)硬盤還要快數(shù)千倍，因此增加RAM容量可以提高計算機的速度和效率。

不同用戶根據(jù)使用需求有不同的RAM內(nèi)存需求。全球內(nèi)存市場的主要廠商中，從事內(nèi)存和閃存芯片的設(shè)計與制造的有幾家知名企業(yè)。全球內(nèi)存條市場規(guī)模預(yù)計在未來幾年將持續(xù)增長。

行業(yè)特點與趨勢

存儲器與半導(dǎo)體行業(yè)具有高度壟斷性，產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化程度高，同類產(chǎn)品可替代性強。隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存的頻率也在不斷提高，主流頻率如DDR4-2400/2666/3000/3200等不斷涌現(xiàn)。DDR5作為新一代的內(nèi)存規(guī)范，也將逐漸在接下來幾年成為主流。

SSD固態(tài)硬盤和Memory內(nèi)存品類市場充滿機遇與挑戰(zhàn)。賣家們在選擇產(chǎn)品時，可以關(guān)注行業(yè)優(yōu)質(zhì)品牌，根據(jù)市場需求和趨勢進(jìn)行選品和研究。

內(nèi)存技術(shù)的世代區(qū)分與品牌選擇

根據(jù)網(wǎng)絡(luò)資料，我們得知了DDR內(nèi)存的不同世代概況。隨著技術(shù)的發(fā)展，DDR內(nèi)存性能的提升幅度逐漸放緩，新一代產(chǎn)品初期往往相較于前一代產(chǎn)品并不占優(yōu)勢。目前，內(nèi)存接口已經(jīng)從DDR發(fā)展到DDR4，經(jīng)歷了四代更新。

我們以市場份額超過50%來定義主要世代，從歷史數(shù)據(jù)來看，DDR內(nèi)存的技術(shù)迭代速度正在減緩，單個世代的生命周期變得更長。例如，DDR2市場份額占據(jù)主導(dǎo)地位的年份約為4年（2006-2009年），而DDR4世代預(yù)計將持續(xù)近7年（2016-2022年）。

DDR4作為第四代內(nèi)存技術(shù)的代表，其數(shù)字4代表了技術(shù)的更新?lián)Q代。不同代的內(nèi)存條接口各異，互不兼容。DDR4技術(shù)在性能上優(yōu)于DDR3和DDR2，是目前市場的主流。雖然DDR5已經(jīng)上市，其頻率更高，初期價格偏高，但預(yù)計在未來1-3年內(nèi)將成為主流。

值得注意的是，筆記本內(nèi)存為了適應(yīng)更小的空間，其外形比臺式機內(nèi)存更短。對于需要組裝電腦的用戶，一般會選擇DDR4或DDR5的臺式機內(nèi)存。

關(guān)于性能，內(nèi)存技術(shù)正朝著高速率高帶寬的方向發(fā)展。每一代內(nèi)存的升級都伴隨著成倍的速率提升。DDR5時期的基礎(chǔ)頻率已上升至4800MT/s，帶寬達(dá)到38.4GB/s，雖然延遲稍有增加，但整體性能仍然顯著。初期的新產(chǎn)品相較于前一代可能不占優(yōu)勢，例如DDR4-1600對比DDR3-1600，但DDR5在基礎(chǔ)速率上的顯著提升使其在部分領(lǐng)域初期就具備一定的性價比。

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